제품 세부정보

그만큼하프늄 관, 극도로 높은 융점, 뛰어난 내식성, 탁월한 열 중성자 흡수 능력, 우수한 기계적 강도를 지닌 은 원자력, 항공우주, 반도체, 고온 진공 기술과 같은 고급{0}}분야에서 중요한 소재가 되었습니다.

주요 장점

이점	설명
매우 높은 녹는점과 끓는점	녹는점 2227도, 끓는점 4603도이므로 극고온 환경에서-장기 사용이 가능합니다.-
우수한 내식성	상온에서 치밀한 산화막을 형성하여 추가적인 산화를 방지합니다. 본질적으로 물, 묽은 산 및 강알칼리에 대해 불활성입니다. 불산에만 용해됩니다.
높은 열 중성자 흡수	열 중성자 흡수 단면적은 -~105반이므로 원자로 중성자 흡수체에 이상적인 재료입니다.
좋은 기계적 강도	인장 강도 > 392 MPa, 항복 강도 > 196 MPa, 실온에서 신율 22%; 320도에서 > 275MPa 인장 강도와 35% 신장률을 유지합니다.
경도 및 작업성	모스 경도 ~5.5, 쉽게 냉간-인발되고, 열 처리되고, 정밀 연마되며, 벽이 얇은-튜브 또는 정밀 모세관에 적합합니다.
낮은 자기	하프늄은 비자성체이므로 자기장에 민감한 전자 및 광전자 장치에 적합합니다.

화학적 성질

원소 특성:72번 원소인 하프늄(Hf)은 원자량이 178.49이고 밀도가 13.31g·cm⁻³인 은-회색 전이 금속입니다.

화학적 불활성:실온에서 물, 묽은 산, 강알칼리에 불용성; 불화수소산에서만 가용성 불화물을 형성합니다. 고온에서 산소 및 질소와 반응하여 상응하는 산화물과 질화물을 형성합니다.

산화 행동:표면에 자연적으로 조밀한 HfO2 산화물 층이 형성되어 추가 부식을 방지하고 우수한 내식성과 고온 산화 안정성을 제공합니다.-

일반적인 화합물:이산화 하프늄(HfO2)은 유전 상수가 높으며 반도체 게이트 유전체에 널리 사용됩니다. 사염화하프늄(HfCl₄)은 중요한 화학 원료입니다.

기계적 성질

재산	값(일반)	비고
인장강도 σb	>392MPa(실온) >275MPa(320도)	하프늄 튜브/로드 생산 데이터 참조
항복강도 σ₀.₂	>196MPa(실온)	위와 같이
신장 δ	22%(상온) 35% (320도)	위와 같이
경도	모스 5.5	제품소개 참고
탄성 계수	~78 GPa(공통 문헌 값)	소스 데이터에 직접 지정되지 않습니다. 일반적인 금속 범위 내에서; 실제 선택 시 확인

원자력 산업:제어봉 중성자 흡수체, 핵심 구조 부품, 차폐 조립체(높은 열 중성자 포집 및 내식성 활용).

항공우주:로켓 노즐, 엔진용 초합금(Hf-Nb, Hf-Ta 합금), 고온-볼트, 용접 재료.

반도체 및 마이크로 전자공학:HfO2, HfSiO, HfSiOAl과 같은 고유전율 게이트 유전체는 성능 향상을 위해 DRAM 및 CMOS 게이트에 사용됩니다.

진공 코팅 및 타겟:진공 코팅, 전자빔 증발, X-선관 음극, 방전관 전극 및 기타 고온-전극 재료.

고온-구조 재료:극한의 고온-온도 제거 방지 부품을 위한 하프늄 카바이드(HfC) 세라믹; 또한 복합재료의 내열성을 향상시킵니다.

기타:의료 영상(X-선관), 광전자 장치, 기능성 박막, 장식용 전기 도금.

선택 및 사용 안내

순도 요구사항:원자력이나 항공우주와 같은{0}}신뢰도가 높은 애플리케이션의 경우 다음을 선택하세요.하프늄 관방사선이나 부식과 관련된 불순물로 인한 위험을 최소화하기 위해 99.95% 이상의 초-고순도를 사용합니다.

벽 두께 및 크기:작동 압력과 온도에 따라 적절한 벽 두께를 선택하십시오. 얇은-벽 튜브(0.5mm 이하)는 진공 타겟에 적합한 반면, 두꺼운 벽 튜브(10mm 이상)는 핵 코어 구조에 적합합니다.

표면 처리:광택이 있거나 밝은 표면은 결함을 줄이고 내식성을 향상시킵니다. 용접시에는 용접성을 높이기 위해 어닐링된(연성상태) 튜브를 사용하십시오.

열처리:고온 사용 전 진공 어닐링을 하면-내부 응력이 완화되고 연성이 향상됩니다.

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